Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIHD2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD2N80E-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIHD2N80E-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Πακέτο TO-252AA
Σε απόθεμα 226288 pcs
Φύλλο δεδομένων SIHD2N80E
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.534 $0.478 $0.372 $0.308 $0.243 $0.227 $0.215 $0.207
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 226288 κομμάτια του Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-252AA
Σειρά E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75Ohm @ 1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 62.5W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 19.6 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIHD2

Συνιστώμενα προϊόντα

SIHD2N80E-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων