Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIHD11N80AE-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHD11N80AE-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIHD11N80AE-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή N-CHANNEL 800V
Πακέτο D-Pak
Σε απόθεμα 140504 pcs
Φύλλο δεδομένων Reel Design Change 29/Dec/2022SiHD11N80AE
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.687 $0.616 $0.495 $0.407 $0.337
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 140504 κομμάτια του Vishay Siliconix SIHD11N80AE-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή D-Pak
Σειρά E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 78W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 804 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 42 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

SIHD11N80AE-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων