SIR412DP-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SIR412DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 |
| Πακέτο | PowerPAK® SO-8 |
| Σε απόθεμα | 5284 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SIR412DP |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5284 κομμάτια του Vishay Siliconix SIR412DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8 |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 10 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 25 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SIR412 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SIR414DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR418DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR402DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR404DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR440DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR408DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR403EDP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR416DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR410DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR383C
EMITTER IR 875NM 100MA RADIALEverlight Electronics Co Ltd -
SIR383
EMITTER IR 875NM 100MA RADIALEverlight Electronics Co Ltd -
SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR432DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR401DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR436DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR424DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR36150
(RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG,Brady Corporation -
SIR406DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix