Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIS112LDN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS112LDN-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIS112LDN-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Πακέτο PowerPAK® 1212-8
Σε απόθεμα 325327 pcs
Φύλλο δεδομένων SiS112LDN
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.247 $0.216 $0.165 $0.131 $0.104
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 325327 κομμάτια του Vishay Siliconix SIS112LDN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 1212-8
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 119mOhm @ 3.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® 1212-8
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 11.8 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

SIS112LDN-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων