SIS176LDN-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SIS176LDN-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Πακέτο	PowerPAK® 1212-8
Σε απόθεμα	215522 pcs
Φύλλο δεδομένων	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 Mult Dev 08/Dec/2022 SIS176LDN

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.37	$0.329	$0.256	$0.212	$0.167

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 215522 κομμάτια του Vishay Siliconix SIS176LDN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Vgs (Max)	±12V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PowerPAK® 1212-8
Σειρά	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	PowerPAK® 1212-8
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1660 pF @ 35 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	19 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	3.3V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	70 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	12.9A (Ta), 42.3A (Tc)