Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ912BEP-T1_GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SQJ912BEP-T1_GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Πακέτο PowerPAK® SO-8 Dual
Σε απόθεμα 139757 pcs
Φύλλο δεδομένων SQJ912BEP
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.575 $0.513 $0.4 $0.331 $0.261
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 139757 κομμάτια του Vishay Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SO-8 Dual
Σειρά Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 10V
Ισχύς - Max 48W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό -
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SQJ912

Συνιστώμενα προϊόντα

SQJ912BEP-T1_GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το SQJ912BEP-T1_GE3

Σχετικά μέρη για το SQJ912BEP-T1_GE3