Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ952EP-T1_GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SQJ952EP-T1_GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Πακέτο PowerPAK® SO-8 Dual
Σε απόθεμα 173395 pcs
Φύλλο δεδομένων SQJ952EP
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.526 $0.472 $0.368 $0.304 $0.24
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 173395 κομμάτια του Vishay Siliconix SQJ952EP-T1_GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SO-8 Dual
Σειρά Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10.3A, 10V
Ισχύς - Max 25W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 30V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό -
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SQJ952

Συνιστώμενα προϊόντα

SQJ952EP-T1_GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το SQJ952EP-T1_GE3

Σχετικά μέρη για το SQJ952EP-T1_GE3