FQB1P50TM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQB1P50TM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 82456 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Logo 17/Aug/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSMultiple Parts 23/Jun/2022FQB1P50 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 |
|---|
| $0.569 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 82456 κομμάτια του onsemi FQB1P50TM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5Ohm @ 750mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.13W (Ta), 63W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 500 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQB1P50 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQB20N06TM
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKonsemi -
FQB19N10TM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAKonsemi -
FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKonsemi -
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAKonsemi -
FQB20N06TM
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAKonsemi -
FQB19N20TM
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAKonsemi -
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAKonsemi -
FQB19N20CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQB24N08TM
MOSFET N-CH 80V 24A D2PAKonsemi -
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAKonsemi -
FQB20N06LTM
MOSFET N-CH 60V 21A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB19N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FQB20N06LTM
MOSFET N-CH 60V 21A D2PAKonsemi -
FQB22P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKonsemi -
FQB1N60TM
MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAKonsemi -
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKonsemi -
FQB19N20CTM
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAKonsemi