FQB22P10TM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQB22P10TM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 87693 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSonsemi REACHLogo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021Assembly Change 09/May/2023Postponed Qualification 27/Dec/2022FQB22P10 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $0.716 | $0.642 | $0.516 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 87693 κομμάτια του onsemi FQB22P10TM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 11A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.75W (Ta), 125W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQB22P10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQB19N20CTM
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAKonsemi -
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB20N06TM
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAKonsemi -
FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKonsemi -
FQB20N06TM
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB1N60TM
MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAKonsemi -
FQB20N06LTM
MOSFET N-CH 60V 21A D2PAKonsemi -
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKonsemi -
FQB19N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FQB27N25TM-F085
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAKonsemi -
FQB27N25TM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB25N33TM-F085OSCT
Power Field-Effect Transistor, 2onsemi -
FQB20N06LTM
MOSFET N-CH 60V 21A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAKonsemi -
FQB27N25TM-F085
FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25Fairchild Semiconductor -
FQB1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAKonsemi -
FQB24N08TM
MOSFET N-CH 80V 24A D2PAKonsemi -
FQB19N20TM
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAKonsemi -
FQB22P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKonsemi