FQB27N25TM-F085
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQB27N25TM-F085 |
---|---|
Κατασκευαστής | onsemi |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK |
Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
Σε απόθεμα | 5269 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 24/Jul/2019onsemi RoHSFQB27N25TM, FQI27N25TU |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 5269 κομμάτια του onsemi FQB27N25TM-F085 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
Σειρά | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 131mOhm @ 25.5A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 417W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 250 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 25.5A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | FQB27 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQB2N80TM
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAKonsemi -
FQB25N33TM-F085OSCT
Power Field-Effect Transistor, 2onsemi -
FQB2N30TM
MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAKonsemi -
FQB24N08TM
MOSFET N-CH 80V 24A D2PAKonsemi -
FQB27N25TM-F085P
250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNELonsemi -
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB2N90TM
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAKonsemi -
FQB2N60TM
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAKonsemi -
FQB27N25TM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKonsemi -
FQB2N50TM
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAKonsemi -
FQB22P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKonsemi -
FQB27P06TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FQB27N25TM_AM002
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAKonsemi -
FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKonsemi -
FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKonsemi -
FQB27P06TM
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAKonsemi -
FQB2N50TM
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB27N25TM-F085
FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25Fairchild Semiconductor