Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FQD2N80TM_WS
FQD2N80TM_WS Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

FQD2N80TM_WS

Αριθμός μέρους κατασκευαστή FQD2N80TM_WS
Κατασκευαστής onsemi
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Πακέτο TO-252AA
Σε απόθεμα 6269 pcs
Φύλλο δεδομένων onsemi RoHS
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6269 κομμάτια του onsemi FQD2N80TM_WS σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-252AA
Σειρά QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 15 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 1.8A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης FQD2

Συνιστώμενα προϊόντα

FQD2N80TM_WS Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων