FQD2N90TM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD2N90TM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK |
| Πακέτο | TO-252AA |
| Σε απόθεμα | 140456 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSDescription Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Assembly Change 28/May/2023FQD2N90, FQU2N90 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.543 | $0.484 | $0.378 | $0.312 | $0.246 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 140456 κομμάτια του onsemi FQD2N90TM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252AA |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 900 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQD2N90 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD30N06TF_F080
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAKonsemi -
FQD2N80TM_WS
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAKonsemi -
FQD2N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD2N80TM
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAKonsemi -
FQD2N60TF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAKonsemi -
FQD30N06TF
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAKonsemi -
FQD2N80TF
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAKonsemi -
FQD30N06LTF
MOSFET N-CH 60V 24A DPAKonsemi -
FQD30N06TF
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD2N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAKonsemi -
FQD30N06TM
MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252onsemi -
FQD30N06LTM
MOSFET N-CH 60V 24A DPAKonsemi -
FQD2P40TF
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD2N90TF
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAKonsemi -
FQD2P40TF_F080
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAKonsemi -
FQD2N60TM
MOSFET N-CH 600V 2A DPAKonsemi -
FQD2P40TM
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAKonsemi -
FQD2N60TF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD2N90TF
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD2P40TF
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAKonsemi