FQD2N50TF
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD2N50TF |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| Πακέτο | TO-252, (D-Pak) |
| Σε απόθεμα | 234383 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1015 |
|---|
| $0.149 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 234383 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FQD2N50TF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252, (D-Pak) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 800mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 500 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD2N30TM
MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAKonsemi -
FQD2N100TF
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAKonsemi -
FQD24N08TM
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAKonsemi -
FQD2N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAKonsemi -
FQD2N40TM
MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAKonsemi -
FQD2N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD2N100TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD2N60CTF_F080
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAKonsemi -
FQD24N08TF
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAKonsemi -
FQD2N60TF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD2N60CTF
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD2N60CTF
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAKonsemi -
FQD24N08TF
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD2N60TF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAKonsemi -
FQD2N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAKonsemi -
FQD2N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAKonsemi -
FQD2N100TM
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAKonsemi -
FQD20N06TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD2N50TF
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAKonsemi -
FQD2N40TF
MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAKonsemi