Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NDD02N60ZT4G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NDD02N60ZT4G
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Πακέτο	DPAK
Σε απόθεμα	5683 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS onsemi REACH Multiple Devices 24/Jul/2015 Mult Devices 01/Sep/2017 NDx02N60Z Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 5683 κομμάτια του onsemi NDD02N60ZT4G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	DPAK
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8Ohm @ 1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	57W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	16 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	2.2A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NDD02