NDD05N50ZT4G
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | NDD05N50ZT4G |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK |
| Πακέτο | DPAK |
| Σε απόθεμα | 6727 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSMult Devices 01/Sep/2017Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014NDF,NDD05N50Z |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6727 κομμάτια του onsemi NDD05N50ZT4G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | DPAK |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 83W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 500 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | NDD05 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
NDD56PT6-2AET
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AET
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAKonsemi -
NDD04N50Z-1G
MOSFET N-CH 500V 3A IPAKonsemi -
NDD36PT6-2AAT TR
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AAT
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD03N80Z-1G
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAKonsemi -
NDD36PT6-2AET TR
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PFD-2AIT
DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2),Insignis Technology Corporation -
NDD04N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 3A DPAKonsemi -
NDD05N50Z-1G9
NFET DPAK 500V 4.7A 1.5OHonsemi -
NDD04N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAKonsemi -
NDD03N80ZT4G
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3onsemi -
NDD36PT6-2AIT
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD56PT6-2AET TR
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PFD-2AIT TR
DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2),Insignis Technology Corporation -
NDD03N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAKonsemi -
NDD36PT6-2AIT TR
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP IIInsignis Technology Corporation -
NDD03N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAKonsemi -
NDD05N50Z-1G
MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAKonsemi