Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > NDD03N60Z-1G
NDD03N60Z-1G Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NDD03N60Z-1G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή NDD03N60Z-1G
Κατασκευαστής onsemi
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Πακέτο I-PAK
Σε απόθεμα 6783 pcs
Φύλλο δεδομένων onsemi RoHSonsemi REACHMultiple Devices 24/Jul/2015Mult Devices 01/Sep/2017Mult Devices 29/Aug/2017NDx03N60Z
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6783 κομμάτια του onsemi NDD03N60Z-1G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή I-PAK
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 61W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 312 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 12 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης NDD03

Συνιστώμενα προϊόντα

NDD03N60Z-1G Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων