BSC0924NDIATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | BSC0924NDIATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 |
| Πακέτο | PG-TISON-8 |
| Σε απόθεμα | 163273 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Wafer Chgs 12/Sep/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.533 | $0.476 | $0.371 | $0.306 | $0.242 | $0.226 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 163273 κομμάτια του Infineon Technologies BSC0924NDIATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TISON-8 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Ισχύς - Max | 1W |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerTDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| FET Χαρακτηριστικό | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 17A, 32A |
| Διαμόρφωση | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | BSC0924 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
BSC090N03MSG
BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC098N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TDSONInfineon Technologies -
BSC0910NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8Infineon Technologies -
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSONInfineon Technologies -
BSC091N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6Infineon Technologies -
BSC096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6Infineon Technologies -
BSC0911NDATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8Infineon Technologies -
BSC097N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSONInfineon Technologies -
BSC0921NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8Infineon Technologies -
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSONInfineon Technologies -
BSC090N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC0925NDATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8Infineon Technologies -
BSC090N03MSGXT
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC091N03MSCGATMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC094N03S G
MOSFET N-CH 30V 14.6A/35A TDSONInfineon Technologies -
BSC093N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC090N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSONInfineon Technologies -
BSC0923NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies