BSC112N06LDATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | BSC112N06LDATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | TRENCH 40<-<100V |
| Πακέτο | PG-TDSON-8-4 |
| Σε απόθεμα | 149608 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.704 | $0.631 | $0.492 | $0.406 | $0.321 | $0.299 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 149608 κομμάτια του Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 28µA |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TDSON-8-4 |
| Σειρά | OptiMOS™-T2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V |
| Ισχύς - Max | 65W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 30V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| FET Χαρακτηριστικό | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Διαμόρφωση | 2 N-Channel (Dual) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | BSC112 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1Infineon Technologies -
BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 76A TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSG
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC106N025S G
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC119N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSONInfineon Technologies -
BSC105N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8Infineon Technologies -
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC110N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8Infineon Technologies -
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSONInfineon Technologies