BSC110N06NS3GATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | BSC110N06NS3GATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 |
| Πακέτο | PG-TDSON-8-5 |
| Σε απόθεμα | 227596 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.439 | $0.393 | $0.307 | $0.253 | $0.2 | $0.187 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 227596 κομμάτια του Infineon Technologies BSC110N06NS3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 23µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TDSON-8-5 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 50A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerTDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | BSC110 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSONInfineon Technologies -
BSC112N06LDATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
BSC110N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC100N03LSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSONInfineon Technologies -
BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSG
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC106N025S G
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC105N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 76A TDSONInfineon Technologies -
BSC0996NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5Infineon Technologies -
BSC119N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC120N03LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1Infineon Technologies -
BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies