BSC12DN20NS3GATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON |
| Πακέτο | PG-TDSON-8-5 |
| Σε απόθεμα | 184689 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.572 | $0.513 | $0.4 | $0.33 | $0.261 | $0.243 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 184689 κομμάτια του Infineon Technologies BSC12DN20NS3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TDSON-8-5 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 5.7A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 50W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerTDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 200 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11.3A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | BSC12DN20 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
BSC130P03LS G
P-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC120N03LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC118N10NSG
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC119N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6Infineon Technologies -
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSONInfineon Technologies -
BSC150N03LDGATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC152N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSONInfineon Technologies -
BSC152N10NSFG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1Infineon Technologies -
BSC155N06NDATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
BSC130P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8Infineon Technologies -
BSC159N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSONInfineon Technologies -
BSC150N03LD
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSONInfineon Technologies