IPB011N04NF2SATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB011N04NF2SATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | TRENCH <= 40V |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 51172 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.242 | $1.117 | $0.915 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 51172 κομμάτια του Infineon Technologies IPB011N04NF2SATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 249µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | StrongIRFET™2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 20 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 315 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 43A (Ta), 201A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB011 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB014N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB018N10N5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB011N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB015N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB018N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB014N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB013N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB010N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB012N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies