IPB019N08N3GATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB019N08N3GATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 |
| Πακέτο | PG-TO263-7 |
| Σε απόθεμα | 22675 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.441 | $2.206 | $1.826 | $1.59 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 22675 κομμάτια του Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-7 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 300W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 80 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB019 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB019N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB020NE7N3G
IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB020N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7Infineon Technologies -
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB019N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB018N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB018N10N5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB021N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Infineon Technologies