IPB024N08NF2SATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB024N08NF2SATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 37455 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.272 | $1.142 | $0.935 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 37455 κομμάτια του Infineon Technologies IPB024N08NF2SATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 85µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | StrongIRFET™ 2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 150W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 6200 pF @ 40 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 133 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 80 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 107A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB024N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB023N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7Infineon Technologies -
IPB022N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB022N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB021N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB026N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB023N04NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB026N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB023N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPB025N08N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB024N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies