IPB029N06N3GE8187ATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB029N06N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 62217 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $1.061 | $0.954 | $0.767 | $0.63 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 62217 κομμάτια του Infineon Technologies IPB029N06N3GE8187ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 188W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB029 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB031NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB030N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB025N08N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB034N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB029N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB026N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB034N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB026N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB031NE7N3G
IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB032N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7Infineon Technologies -
IPB031NE7N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Infineon Technologies