IPB029N06NF2SATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB029N06NF2SATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | TRENCH 40<-<100V |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 94633 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $0.678 | $0.608 | $0.489 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 94633 κομμάτια του Infineon Technologies IPB029N06NF2SATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 80µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | StrongIRFET™2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 70A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 26A (Ta), 120A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB029 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB026N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB034N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB031NE7N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB030N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB034N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB031NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB026N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB032N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7Infineon Technologies -
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB031NE7N3G
IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB025N08N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB034N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies