IPB03N03LA G
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB03N03LA G |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 |
| Πακέτο | PG-TO263-3-2 |
| Σε απόθεμα | 3828 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009IPB03N03LA G |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 3828 κομμάτια του Infineon Technologies IPB03N03LA G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3-2 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 55A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 150W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 7027 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 57 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 25 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB03N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB0401NM5SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB042N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAKInfineon Technologies -
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB042N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB03N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB042N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB03N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB039N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB039N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB039N10N3GE8197ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB03N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB040N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB038N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB035N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB035N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB039N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKInfineon Technologies