IPD031N06L3GATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 64928 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.152 | $1.036 | $0.833 | $0.684 | $0.567 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 64928 κομμάτια του Infineon Technologies IPD031N06L3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 167W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD031 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD025N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD039N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N03M G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD028N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPD034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD029N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPD038N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD038N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD035N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD023N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPD038N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPD033N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies