IPD110N12N3GBUMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD110N12N3GBUMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 |
Πακέτο | PG-TO252-3 |
Σε απόθεμα | 4496 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev EOL 20/Oct/2015IPx110N12N3 G |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4496 κομμάτια του Infineon Technologies IPD110N12N3GBUMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
Σειρά | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 75A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 136W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 60 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 120 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD110N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD11T1NGR40M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD100N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11Infineon Technologies -
IPD11T1NGR25M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD11DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR7M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD100N04S4L02ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40VInfineon Technologies -
IPD11T1NGR2M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD1-25-S-R
CONN RCPT HSG 25POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD11T1NGR20M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3Infineon Technologies -
IPD105N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR5M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR15M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD100N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11Infineon Technologies -
IPD105N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR1M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD11T1NGR30M
CONNECTORPanduit Corp