IPD127N06LGBTMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD127N06LGBTMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Πακέτο | PG-TO252-3 |
Σε απόθεμα | 6893 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 23/Sep/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6893 κομμάτια του Infineon Technologies IPD127N06LGBTMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
Σειρά | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.7mOhm @ 50A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 136W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 30 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD127 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD122N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR40M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD126N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD12CN10NG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD11T1NGR7M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD130N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD11T1NGR2M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3Infineon Technologies -
IPD12CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR30M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD11T1NGR5M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD12CN10N
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOSInfineon Technologies -
IPD11T1NGR25M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD135N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD11T1NGR20M
CONNECTORPanduit Corp