IPD30N06S2L23ATMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD30N06S2L23ATMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
Πακέτο | PG-TO252-3-11 |
Σε απόθεμα | 5764 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5764 κομμάτια του Infineon Technologies IPD30N06S2L23ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3-11 |
Σειρά | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 22A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 100W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1091 pF @ 25 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 55 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD30N |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L13ATMA1
IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD30N06S4L23ATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S223ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S223ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2-15
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S215ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L13ATMA4
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N06S2L-13
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S3L-20
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N06S3-24
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N12S3L31ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L-23
IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies