IPD30N06S4L23ATMA2
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD30N06S4L23ATMA2 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 |
| Πακέτο | PG-TO252-3-11 |
| Σε απόθεμα | 242631 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.358 | $0.314 | $0.241 | $0.19 | $0.152 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 242631 κομμάτια του Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3-11 |
| Σειρά | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 30A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 36W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1560 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD30N06 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N06S223ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N06S2L-23
IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD30N06S2L-13
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L23ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L13ATMA4
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD350N06LGBUMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3Infineon Technologies -
IPD320N20N3GBTMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD33CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S2L13ATMA1
IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD33CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S4L23ATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S3-24
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N12S3L31ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPD350N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S3L-20
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3Infineon Technologies