IPD33CN10NGATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 184814 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.564 | $0.503 | $0.392 | $0.324 | $0.256 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 184814 κομμάτια του Infineon Technologies IPD33CN10NGATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 27A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 58W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD33CN10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD400N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3Infineon Technologies -
IPD320N20N3GBTMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31Infineon Technologies -
IPD380P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N12S3L31ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPD390P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3Infineon Technologies -
IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31Infineon Technologies -
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S3-24
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N06S3L-20
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Infineon Technologies -
IPD40DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD35N12S3L24ATMA1
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD350N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD350N06LGBUMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3Infineon Technologies -
IPD30N06S4L23ATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD35N10S3L-26
IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AUInfineon Technologies -
IPD33CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3Infineon Technologies