IPS105N03LGAKMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPS105N03LGAKMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Πακέτο	PG-TO251-3-11
Σε απόθεμα	6291 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Multiple Devices 28/Feb/2014 IP(D,F,S,U)105N03L G

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6291 κομμάτια του Infineon Technologies IPS105N03LGAKMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO251-3-11
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	38W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Πακέτο	Tube

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	14 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)