IPS12CN10LGBKMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPS12CN10LGBKMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3
Πακέτο	PG-TO251-3-11
Σε απόθεμα	5763 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Multiple Devices 26/Jul/2012

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5763 κομμάτια του Infineon Technologies IPS12CN10LGBKMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 83µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO251-3-11
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8mOhm @ 69A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	125W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	5600 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	58 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	69A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IPS12C