IPS110N12N3GBKMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPS110N12N3GBKMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Πακέτο	PG-TO251-3-11
Σε απόθεμα	4320 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Mult Device EOL 15/Feb/2017 IPx110N12N3 G

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4320 κομμάτια του Infineon Technologies IPS110N12N3GBKMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO251-3-11
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 75A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	136W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Πακέτο	Tube

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	4310 pF @ 60 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	65 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	120 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)