Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IRF6710S2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6710S2TR1PBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IRF6710S2TR1PBF
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Πακέτο DirectFET™ Isometric S1
Σε απόθεμα 6195 pcs
Φύλλο δεδομένων Multiple Devices 20/Dec/2013IR Part Numbering SystemDirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6195 κομμάτια του Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή DirectFET™ Isometric S1
Σειρά HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 12A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση DirectFET™ Isometric S1
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 13 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 25 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 37A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IRF6710S2TR1PBF Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων