Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

EPC8002ENGR

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	EPC8002ENGR
Κατασκευαστής	EPC
Λεπτομερής περιγραφή	TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Πακέτο
Σε απόθεμα	7911 pcs
Φύλλο δεδομένων	eGaN® FET Brief EPC8002 Datasheet

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

100
$5.785

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς EPC.Έχουμε τα 7911 κομμάτια του EPC EPC8002ENGR σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Test	21pF @ 32.5V
Τάσης - Ανάλυση	Die
Vgs (th) (Max) @ Id	530 mOhm @ 500mA, 5V
Τεχνολογία	GaNFET (Gallium Nitride)
Σειρά	eGaN®
Κατάσταση RoHS	Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2A (Ta)
Πόλωση	Die
Άλλα ονόματα	917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή	EPC8002ENGR
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	0.14nC @ 5V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	2.5V @ 250µA
FET Χαρακτηριστικό	N-Channel
Διευρυμένη περιγραφή	N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	-
Περιγραφή	TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	65V
Λόγος χωρητικότητα	-