Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

EPC8005ENGR

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	EPC8005ENGR
Κατασκευαστής	EPC
Λεπτομερής περιγραφή	TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Πακέτο
Σε απόθεμα	7575 pcs
Φύλλο δεδομένων	eGaN® FET Brief EPC8005 Preliminary Datasheet

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

100
$5.862

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς EPC.Έχουμε τα 7575 κομμάτια του EPC EPC8005ENGR σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Test	29pF @ 32.5V
Τάσης - Ανάλυση	Die
Vgs (th) (Max) @ Id	275 mOhm @ 500mA, 5V
Τεχνολογία	GaNFET (Gallium Nitride)
Σειρά	eGaN®
Κατάσταση RoHS	Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9A (Ta)
Πόλωση	Die
Άλλα ονόματα	917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή	EPC8005ENGR
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	0.22nC @ 5V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	2.5V @ 250µA
FET Χαρακτηριστικό	N-Channel
Διευρυμένη περιγραφή	N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	-
Περιγραφή	TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	65V
Λόγος χωρητικότητα	-