Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

EPC8003ENGR

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	EPC8003ENGR
Κατασκευαστής	EPC
Λεπτομερής περιγραφή	TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Πακέτο
Σε απόθεμα	7106 pcs
Φύλλο δεδομένων	EPC8003 Preliminary Datasheet eGaN® FET Brief

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

100
$5.857

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς EPC.Έχουμε τα 7106 κομμάτια του EPC EPC8003ENGR σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Test	38pF @ 50V
Τάσης - Ανάλυση	Die
Vgs (th) (Max) @ Id	300 mOhm @ 500mA, 5V
Τεχνολογία	GaNFET (Gallium Nitride)
Σειρά	eGaN®
Κατάσταση RoHS	Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5A (Ta)
Πόλωση	Die
Άλλα ονόματα	917-EPC8003ENGR EPC8003ENGK
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 125°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή	EPC8003ENGR
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	0.32nC @ 5V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	2.5V @ 250µA
FET Χαρακτηριστικό	N-Channel
Διευρυμένη περιγραφή	N-Channel 100V 2.5A (Ta) Surface Mount Die
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	-
Περιγραφή	TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	100V
Λόγος χωρητικότητα	-