FBG04N30BSH

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FBG04N30BSH
Κατασκευαστής	EPC Space, LLC
Λεπτομερής περιγραφή	GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Πακέτο	4-SMD
Σε απόθεμα	207 pcs
Φύλλο δεδομένων	Facility Location Change 20/Jan/2023

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10
$163.841	$158.913

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς EPC Space, LLC.Έχουμε τα 207 κομμάτια του EPC Space, LLC FBG04N30BSH σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 9mA
Vgs (Max)	+6V, -4V
Τεχνολογία	GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	4-SMD
Σειρά	e-GaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 30A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	-
Συσκευασία / υπόθεση	4-SMD, No Lead
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 20 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	11.4 nC @ 5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	40 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)