FBG10N30BC

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FBG10N30BC
Κατασκευαστής	EPC Space, LLC
Λεπτομερής περιγραφή	GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Πακέτο	4-SMD
Σε απόθεμα	459 pcs
Φύλλο δεδομένων	Facility Location Change 20/Jan/2023

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10
$105.548	$101.09

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς EPC Space, LLC.Έχουμε τα 459 κομμάτια του EPC Space, LLC FBG10N30BC σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 5mA
Vgs (Max)	+6V, -4V
Τεχνολογία	GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	4-SMD
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 30A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	-
Συσκευασία / υπόθεση	4-SMD, No Lead
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	11 nC @ 5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)