FBG20N04ASH

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FBG20N04ASH
Κατασκευαστής	EPC Space, LLC
Λεπτομερής περιγραφή	GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
Πακέτο	4-SMD
Σε απόθεμα	296 pcs
Φύλλο δεδομένων	Facility Location Change 20/Jan/2023

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10
$165.29	$160.318

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς EPC Space, LLC.Έχουμε τα 296 κομμάτια του EPC Space, LLC FBG20N04ASH σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Vgs (Max)	+6V, -4V
Τεχνολογία	GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	4-SMD
Σειρά	e-GaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 4A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	-
Συσκευασία / υπόθεση	4-SMD, No Lead
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	3 nC @ 5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)