FDB3502
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB3502 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
| Πακέτο | D2PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 4641 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 4641 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB3502 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D2PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 6A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.1W (Ta), 41W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 815 pF @ 40 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 75 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 14A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAKonsemi -
FDB3502
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263ABonsemi -
FDB3652SB82059
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FDB33N25TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDB3632-F085
MOSFET N-CH 100V 12A TO263ABonsemi -
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAKonsemi -
FDB3652-F085
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 10onsemi -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB3672
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263onsemi -
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi -
FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAKonsemi -
FDB2614
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB3672
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB3632
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB2710
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKonsemi -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABonsemi -
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAKonsemi -
FDB28N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB3632_SB82115
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi