FDB2710
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB2710 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 |
| Πακέτο | D2PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 3904 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 3904 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB2710 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D2PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42.5mOhm @ 25A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 260W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 7280 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 101 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 250 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263ABonsemi -
FDB3632
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB28N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi -
FDB2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB3632-F085
MOSFET N-CH 100V 12A TO263ABonsemi -
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKonsemi -
FDB2614
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB3502
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263ABonsemi -
FDB2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB2552-F085
MOSFET N CH 150V 5A TO-263ABonsemi -
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAKonsemi -
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAKonsemi -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABonsemi -
FDB3632_SB82115
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi -
FDB3502
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAKonsemi -
FDB2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO263ABonsemi -
FDB33N25TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor