Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > PSMN8R0-30YL,115
NXP USA Inc.

PSMN8R0-30YL,115

Αριθμός μέρους κατασκευαστή PSMN8R0-30YL,115
Κατασκευαστής NXP USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56
Πακέτο LFPAK56, Power-SO8
Σε απόθεμα 4573 pcs
Φύλλο δεδομένων Multiple Devices 25/Dec/2013All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP USA Inc..Έχουμε τα 4573 κομμάτια του NXP USA Inc. PSMN8R0-30YL,115 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή LFPAK56, Power-SO8
Σειρά TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 56W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση SC-100, SOT-669
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1005 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 18.3 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 62A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης PSMN8

Συνιστώμενα προϊόντα

PSMN8R0-30YL,115 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων