Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > PSMN8R5-100ESQ
NXP USA Inc.

PSMN8R5-100ESQ

Αριθμός μέρους κατασκευαστή PSMN8R5-100ESQ
Κατασκευαστής NXP USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Πακέτο I2PAK
Σε απόθεμα 136372 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
486
$0.253
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP USA Inc..Έχουμε τα 136372 κομμάτια του NXP USA Inc. PSMN8R5-100ESQ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή I2PAK
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 263W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 5512 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 111 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 100A (Tj)

Συνιστώμενα προϊόντα

PSMN8R5-100ESQ Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το PSMN8R5-100ESQ

Σχετικά μέρη για το PSMN8R5-100ESQ