G12P03D3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	G12P03D3
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Πακέτο	8-DFN (3.15x3.05)
Σε απόθεμα	1614614 pcs
Φύλλο δεδομένων	G12P03D3

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

5000	15000	30000	50000
$0.038	$0.035	$0.031	$0.029

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 1614614 κομμάτια του Goford Semiconductor G12P03D3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-DFN (3.15x3.05)
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 6A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	8-PowerVDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1253 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	24.5 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)