G12P10TE

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	G12P10TE
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Πακέτο	TO-220
Σε απόθεμα	517167 pcs
Φύλλο δεδομένων	G12P10TE

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

3000	9000	15000	30000	51000
$0.098	$0.094	$0.09	$0.081	$0.076

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 517167 κομμάτια του Goford Semiconductor G12P10TE σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 6A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	40W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	25 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)