G12P10KE

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	G12P10KE
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
Πακέτο	TO-252
Σε απόθεμα	976221 pcs
Φύλλο δεδομένων	G12P10KE

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

2500	15000	30000	50000
$0.061	$0.056	$0.051	$0.047

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 976221 κομμάτια του Goford Semiconductor G12P10KE σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-252
Σειρά	G
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 6A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	57W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1720 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	33 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)