G2K3N10L6
Αριθμός μέρους κατασκευαστή
G2K3N10L6
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή
N100V, 3A,RD<220M@10V,VTH1.0V~2.
Πακέτο
SOT-23-6L
Σε απόθεμα
2346340 pcs
Φύλλο δεδομένων
G2K3N10L6
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
3000
15000
30000
51000
$0.025
$0.023
$0.02
$0.019
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 2346340 κομμάτια του Goford Semiconductor G2K3N10L6 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
SOT-23-6L
Σειρά
G
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Ισχύς - Max
1.67W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση
SOT-23-6
Πακέτο
Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος
Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
536pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
4.8nC @ 4.5V
FET Χαρακτηριστικό
-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
3A (Tc)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης
G2K3N
Συνιστώμενα προϊόντα
CSD87501L
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
N/A
IRFHS9351TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Infineon Technologies
ZXMC3A17DN8TC
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Diodes Incorporated
G2K2P10S2E
P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1
Goford Semiconductor
G2KA T056.705000NQXX1
LED G2KA T056.705000NQXX1
OSRAM Opto (ams OSRAM)
G2K3N10G
N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Goford Semiconductor
G2KF
Diodes - Rectifiers - Single SMA
Yangjie Technology
NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
onsemi
G2K8P15K
P-150V,-12A,RD(MAX)<310M@-10V,VT
Goford Semiconductor
G2K8P15S
P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
Goford Semiconductor
DMN63D8LDW-13-52
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
Diodes Incorporated
G2K3N10H
MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223
Goford Semiconductor
APTC80TA15PG
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
Microchip Technology
SI7998DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
SQJ940EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
DMP3036SSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8-SO
Diodes Incorporated
TC8020K6-G
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
Microchip Technology
G2K2P10SE
P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~
Goford Semiconductor
AUIRF7319Q
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Infineon Technologies
BSS8402DWQ-13
BSS FAMILY SOT363 T&R 10K
Diodes Incorporated
G2K3N10L6 Φύλλο δεδομένων PDF
Φύλλο δεδομένων
Αναζήτηση αρχείου δελτίου δεδομένων